Perbedaan RAM DDR4 dan RAM DDR5 Yang Perlu Anda Ketahui!

DDR5 sebagai generasi terbaru dari RAM telah resmi diluncurkan di pasar setelah melalui penelitian dan pengembangan yang cukup lama. Produsen memori kini telah merilis produk DDR5 unggulan mereka. Namun, apakah Anda tahu perbedaan antara RAM DDR5 dengan generasi sebelumnya, DDR4? Mari kita simak penjelasannya di bawah ini!

Secara fisik, modul RAM DDR5 hampir identik dengan DDR4. Berbeda dengan transisi dari DDR3 ke DDR4, DDR5 tidak memiliki jumlah pin baru, tetap mempertahankan 288 pin meskipun dengan pinout yang sedikit berbeda. Perbedaan utamanya terletak pada desain arsitektur. Modul DDR4 memiliki satu saluran 64-bit, sementara DDR5 memiliki dua saluran 32-bit independen dan panjang burst meningkat dari 8 byte menjadi 16 byte.

Mari kita lihat lebih dekat beberapa perbedaan utama antara DDR4 dan DDR5 yang dirangkum dari berbagai sumber:

  1. Frekuensi
    Frekuensi dasar DDR3 adalah 1066MHz, sementara DDR4 adalah 2133MHz. DDR5 pertama kali diluncurkan dengan frekuensi 4800MHz, ini menunjukkan peningkatan performa sekitar 2,25 kali lipat dibandingkan DDR4.
  2. Tegangan Operasi atau Voltase
    Dengan perkembangan teknologi RAM, voltase yang dibutuhkan semakin menurun. DDR3 memerlukan 1,5V, DDR4 membutuhkan 1,2V, dan DDR5 hanya membutuhkan 1,1V. Namun, tegangan ini bisa bervariasi saat overclocking. DDR5 juga menggunakan IC Manajemen Daya (PMIC) untuk regulasi voltase yang lebih baik, menawarkan sinyal kuat dan noise rendah, tetapi membuat modul RAM menjadi lebih mahal.
  3. Desain Penampilan
    DDR5 memiliki perbedaan tata letak PCB yang sedikit berbeda dibandingkan DDR4. Posisi ini memerlukan perhatian lebih saat pemasangan RAM untuk memastikan terpasang dengan benar.
    Kapasitas Maksimum DDR4 memiliki kapasitas maksimum 32GB per modul, sementara DDR5 menawarkan hingga 128GB per modul. Total kapasitas memori platform DDR5 dapat mencapai 512GB, empat kali lipat dari DDR4.
  4. Struktur
    DDR5 menggunakan 32 Bank dengan 8 Group Bank, dua kali lebih banyak dibandingkan DDR4 yang hanya memiliki 16 Bank dan 4 Group Bank, memungkinkan akses data lebih cepat.
  5. Manajemen Daya
    DDR5 mengatur manajemen daya melalui modul RAM, bukan motherboard, karena voltase yang lebih rendah membuat toleransi sinyal menjadi lebih kecil, meningkatkan efisiensi sinyal dan kemampuan identifikasi noise.
  6. Kode Koreksi Kesalahan (ECC)
    ECC pada DDR5 menambah stabilitas dan meminimalkan terjadinya error, dengan fitur debugging ECC tersendiri yang membuat perbedaan mencolok antara DDR4 dan DDR5. Namun, berdasarkan informasi yang beredar saat ini, masih belum pasti apakah DDR5 akan menerapkan ECC tersendiri sebagai standar. Karena sebagian produsen memori ada yang sudah menerapkannya tapi ada juga yang tidak atau belum.

Spesifikasi RAM DDR4 dan DDR5

Beberapa perbedaan utama antara DDR4 dan DDR5 mencakup frekuensi, tegangan operasi, kapasitas maksimum, struktur bank, manajemen daya, ECC, suhu operasional, dan kompatibilitas. Spesifikasi ini mencerminkan peningkatan signifikan yang ditawarkan oleh DDR5 dibandingkan DDR4.

Feature/Option DDR5 DDR4 DDR5 Advantage
Data Rates 3200-6400 MT/s 1600-3200 MT/s Peforma bandwith jauh lebih kencang
V DD /V DDQ /V PP 1.1/1.1/1.8 1.2/1.2/2.5 Power Voltase yang lebih rendah
Internal V REF V REFDQ, V REFCA, V REFCS V REFDQ peningkatan margin voltase yang lebih rendah dan menghemat BOM Cost (Bill of Material)/ bahan baku pembuatan yang lebih ekonomis
Device densities 8Gb-64Gb 2Gb-16Gb Kapasitas memori yang lebih besar
Prefetch 16n 8n Internal core clock lebih rendah
DQ receiver equalization DFE CTLE Meningkatkan peforma pembukaan data DQ ke dalam DRAM
Duty cycle adjustment (DCA) DQS and DQ None Meningkatkan transmisi sinyal DQ/DQS pins
Internal DQS delay monitoring DQS interval oscillator None Meningkatkan ketahanan kompabilitas terhadap perubahan sistem
On-die ECC 128b+8b SEC, error check and scrub None RAM yang lebih kuat dari sistem error karena terdapat ECC
CRC Read/Write Write RAM yang lebih kuat dalam memproteksi data
Bank groups (BG)/banks 8 BG x 2 banks (8Gb x4/x8)
4 BG x 2 banks (8Gb x16)
8 BG x 4 banks (16-64Gb x4/x8)
4 BG x 4 banks (16-64Gb x16)
4 BG x 4 banks (x4/x8)
2 BG x 4 banks (x16)
Peningkatan bandwith yang lebih kencang
Command/address interface CA<13:0> ODT, CKE, ACT, RAS, CAS, WE, A Mengurangi jumlah CA pin
ODT DQ, DQS, DM, CA bus DQ, DQS, DM/DBI Meningkatkan Integritas Sinyal
Burst length BL16, BL32 (and BC8 OTF, BL32 OTF) BL8 (and BL4) Mengizinkan pengambilan cache 64B di setiap DIMM
MIR (“mirror” pin) Yes None Meningkatkakan sinyal pada setiap DIMM
Bus inversion Command/address inversion (CAI) Data bus inversion (DBI) Menurunkan Voltase DDQ noise pada setiap modules
CA training, CS training CA training, CS training None Meningkatan margin timing pada CA and CS pins
Write leveling training modes improved None Meningkatan margin timing pada CA and CS pins
Write leveling training modes Improved Yes Mengkompensasi jalur DQ-DQS
Read training patterns Dedicated MRs for serial (userdefined), clock and LFSR -generated training patterns Possible with the MPR Membuat pembacaan margin timing lebih akurat
Mode registers Up to 256 x 8 bits (LPDDR type read/write) 7 x 17 bits Ruang Register yang jauh lebih besar
PRECHARGE commands All bank, per bank, and same bank All bank and per bank PREsb mengaktifkan pengisian bank pada setiap BG
REFRESH commands All bank and same bank All bank REFsb merefresh bank tertentu pada setiap BG
Loopback mode Yes None Mengaktifkan pengetesan sinyal pada DQ dan DQS

(sumber : Crucial TM)

Nah, itulah penjelasan perbedaan antara RAM DDR4 dan RAM DDR5. Setiap generasi memiliki keunggulannya masing-masing, namun DDR5 menawarkan peningkatan performa yang signifikan dibandingkan pendahulunya. Jadi, apakah Anda tertarik untuk mencoba DDR5 ini?

Jika Anda membutuhkan server dengan RAM DDR4 atau DDR5, Anda bisa kunjungi Rainer Server. Hubungi kami sekarang untuk mendapatkan solusi server terbaik yang sesuai dengan kebutuhan Anda!